革命性进阶 中国这项研究已突破传统的冯·诺依曼计算架构-当前短讯

据了解，当今数据生产呈现爆炸式增长，传统的冯·诺依曼计算架构已成为未来继续提升计算系统性能的主要技术障碍。不久前，中国科学院上海微系统信息技术研究所，首次采用GNR边缘接触制备出目前世界上最小尺寸的相变存储单元器件。

而相变随机存取存储器（PCRAM）可以结合存储和计算功能，是突破冯·诺依曼计算构架瓶颈的理想路径选择。

(资料图片仅供参考)

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PCRAM具有非易失性、编程速度快和循环寿命长等优点，但其中相变材料与加热电极之间的接触面积较大，造成相变存储器操作功耗较高，如何进一步降低功耗成为相变存储器未来发展面临的最大挑战之一。

中国科学院称，这是目前国际上首次采用GNR边缘接触实现极限尺寸的高性能相变存储单元，器件尺寸接近相变存储技术的缩放极限。该新型相变存储单元的成功研制代表了PCRAM在低功耗下执行逻辑运算的进步，为未来内存计算开辟了新的技术路径。

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